Учебное - методическое пособие к лабораторной работе по дисциплине «Электроника и наноэлектроника»
Ввиду того, что полупроводниковые материалы широко используются при создании приборов и устройств оптоэлектроники важным является вопрос о значении таких фундаментальных параметров полупроводника, которые определяют применимость того или иного полупроводникового материала для создания конкретного прибора с заданными эксплуатационными параметрами. К таким параметрам относятся ширина запрещенной зоны, энергетическое положение и концентрация примесей в нем, энергетическое распределение концентрации электронных состояний в хвостах энергетических, а также энергетическое распределение и концентрация поверхностных состояний и т.д.
Целью данной работы является ознакомление студентов с общим подходом к определению фундаментальных параметров полупроводниковых материалов, а также экспериментальное определение ширины запрещенной зоны полупроводников различного физико-химического состава методом температурного сканирования (методом экстракции неосновных носителей заряда).
Библиографическая запись:
Давыдов, В. Н. Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования: Учебное - методическое пособие к лабораторной работе по дисциплине «Электроника и наноэлектроника» [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов. — Томск: ТУСУР, 2013. — 10 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/3567
Оглавление (содержание)
1. Введение
2. Теоретическая часть
2.1. Общий подход к измерению параметров полупроводника
2.2. Электропроводность полупроводниковых материалов
2.3. Контактные явления в полупроводниках
2.4. Методика определения ширины запрещенной зоны
2.5. Методика проведения эксперимента и обработки результатов
2.6. Контрольные вопросы
3. Экспериментальная часть
3.1. Задание к лабораторной работе
3.2. Порядок выполнения работы
3.3. Методические указания к выполнению работы
4. Требования к составлению и оформлению отчета
5. Литература
