Исследование статических характеристик полевого транзистора

Методические указания к лабораторной работе для студентов направления 200700.62 – Фотоника и оптоинформатика»

Целью настоящей работы является изучение принципа действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом, исследование его основных характеристик и параметров. В работе снимаются семейства выходных и проходных характеристик при включении транзистора с общим истоком и общим стоком. Измеряется на переменном токе сопротивление затвора. По снятым характеристикам определяются основные параметры полевого транзистора. В ходе выполнения работы у студентов формируется: - способность планировать и проводить эксперименты, обрабатывать и анализировать их результаты (ПК-13); - способность применять современные методы проектирования производственно-технологических процессов в профессиональной области (ПК-27).

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Арестов, С. И. Исследование статических характеристик полевого транзистора: Методические указания к лабораторной работе для студентов направления 200700.62 – Фотоника и оптоинформатика» [Электронный ресурс] / С. И. Арестов, А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2013. — 17 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/3472
Год издания: 2013
Количество страниц: 17
Скачиваний: 5

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1 Общие сведения

2.2 Устройство полевого транзистора

2.3 Схемы включения полевого транзистора

2.4 Принцип действия полевого транзистора

2.5 Статистические характеристики полевого транзистора

2.6 Параметры полевого транзистора

2.7 Эквивалентная схема

2.8 Контрольные вопросы

3 Экспериментальная часть

3.1 Задание

3.2 Описание лабораторного стенда

3.3 Снятие статических характеристик

3.4 Измерение сопротивления затвора

3.5 Методические указания

3.7 Содержание отчета

4. Рекомендуемая литература


Похожие пособия