Исследование статических характеристик полевого транзистора

Методические указания к лабораторной работе

Целью настоящей работы является изучение принципа действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом, исследование его основных характеристик и параметров. В работе снимаются семейства выходных и проходных характеристик при включении транзистора с общим истоком и общим стоком. Измеряется на переменном токе сопротивление затвора. По снятым характеристикам определяются основные параметры полевого транзистора. Пособие предназначено для студентов очной и заочной формы, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» ит «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства», «Компоненты электронных схем».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Шангин, А. С. Исследование статических характеристик полевого транзистора: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2012. — 16 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2453
Автор:   Шангин А. С.
Год издания: 2012
Количество страниц: 16
Скачиваний: 3

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1 Общие сведения

2.2 Устройство полевого транзистора

2.3 Схемы включения полевого транзистора

2.4 Принцип действия полевого транзистора

2.5 Статистические характеристики полевого транзистора

2.6 Параметры полевого транзистора

2.7 Эквивалентная схема

2.8 Контрольные вопросы

3 Экспериментальная часть

3.1 Задание

3.2 Описание лабораторного стенда

3.3 Снятие статических характеристик

3.4 Измерение сопротивления затвора

3.5 Методические указания

3.6 Обработка результатов измерений

3.7 Содержание отчета

4 Рекомендуемая литература



Похожие пособия