Актуальные проблемы электроники

Введение

Практическое занятие No 1 по разделу 1 Введение. Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.

1.1. Производство поликристаллического кремния по технологии восстановления в плазме СВЧ разряда

1.2. Получение монокристаллического кремния.

Практическое занятие No 2 по разделу 1 Введение. Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.

2.1. Новейшие материалы полупроводниковой электроники молибденит и графен: технологии получения и применение.

2.2. В направлении к графеновой электронике

Практическое занятие No 3 и No 4 по разделу No 2 Актуальные проблемы интегральной микроэлектроники.

3.1. Проблемы на пути перехода от микро– к наноэлектронике

4.1. Новые подходы к созданию электроники наноразмерных элементов и наноструктур

Практическое занятие No 5 по разделу No 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.

5.1. Единая модель прибора функциональной электроники

5.2. Винтовая неустойчивость тока в полупроводниках

Практическое занятие No 6 по разделу No 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.

6.1. Фундаментальный и практический интерес к исследованиям ВН

6.2. Магниточувствительный элемент с частотным выходом

6.3. Термочувствительный элемент с частотным выходом

Практические занятия No 7 и 8 по Разделу 4 Графеновая электроника – электроника будущего.

7.1. Высокоскоростные графеновые транзисторы

7.2. Эффективные транзисторы на основе графеновых полос.

8.1. Проблема малого отношения токов открытого и закрытого состояний в полевых транзисторах на основе графена.

Самостоятельная работа студента. Вопросы теоретической части курса, отводимые на самостоятельную проработку

1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.

1.1. Кремний «солнечного качества»: производство в России. Фотоэлектрических преобразователи

1.2. Органическая электроника - современные тенденции и перспективы.

2. к Разделу 2 Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.

2.1. Энергонезависимая резистивная память (Resistive RAM, RRAM)- терабайты объема и высокое быстродействие.

2.2. Новая технология микроскопии для контроля производства трехмерных полупроводниковых чипов TSOM (Through-Focus Scanning Optical Microscopy).

3. к Разделу 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.

3.1. Приборы на эффекте Ганна. Диэлектрическая электроника. Хемотроника. Молекулярная электроника и биоэлектроника.

4. к Разделу 4 Графеновая электроника – электроника будущего.

4.1.Трехмерная графеновая электроника.

4.2. Германан - новый материал полупроводниковой электроники: получение и перспективные приборы.

Самостоятельная работа студента. Темы рефератов

1.1. к Разделу 1 Актуальные проблемы получения и производства материалов полупроводниковой электроники.

1.2. к Разделу 2 Актуальные проблемы интегральной микроэлектроники.

1.3. к Разделу 3 Актуальные проблемы функциональной электроники.

1.4. к Разделу 4 Графеновая электроника – электроника будущего.

Контрольные вопросы по курсу

Библиографический список