Исследование частотных свойств биполярного транзистора

Целью данной работы является ознакомление с частотными свойствами биполярного транзистора и методикой их измерений. Биполярные транзисторы являются наиболее распространенными активными элементами современной полупроводниковой электроники. Биполярные транзисторы являются основными элементами большей части полупроводниковых интегральных схем (ИС) (операционных усилителей, цифровых ИС на основе транзисторно-транзисторной, эмиттерно-связанной логики, схем с инжекционным питанием и др.). Среди важнейших характеристик биполярного транзистора находятся частные зависимости его основных параметров от рабочей частоты, предельные частоты усиления и генерации. Пособие предназначено для студентов очной формы и заочной формы обучения, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» и «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства», «Компоненты электронных схем».