Исследование частотных свойств биполярного транзистора

Методические указания к лабораторной работе

Целью данной работы является ознакомление с частотными свойствами биполярного транзистора и методикой их измерений. Биполярные транзисторы являются наиболее распространенными активными элементами современной полупроводниковой электроники. Биполярные транзисторы являются основными элементами большей части полупроводниковых интегральных схем (ИС) (операционных усилителей, цифровых ИС на основе транзисторно-транзисторной, эмиттерно-связанной логики, схем с инжекционным питанием и др.). Среди важнейших характеристик биполярного транзистора находятся частные зависимости его основных параметров от рабочей частоты, предельные частоты усиления и генерации. Пособие предназначено для студентов очной формы и заочной формы обучения, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» и «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства», «Компоненты электронных схем».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Шангин, А. С. Исследование частотных свойств биполярного транзистора: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2012. — 15 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2455
Автор:   Шангин А. С.
Год издания: 2012
Количество страниц: 15
Скачиваний: 1

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1. Физические процессы в диоде

2.2 Вольт-амперная характеристика диода

2.3 Емкость электронно-дырочного перехода

2.4 Устройство полупроводниковых диодов

2.5 Статические параметры диода

2.6 Контрольные вопросы

3 Экспериментальная часть

3.1 Задание

3.2 Описание лабораторного стенда

3.3 Снятие статических характеристик

3.4 Измерение дифференциального сопротивления

3.5 Методические указания

3.6 Содержание отчета

Список литературы