Исследование полупроводниковых диодов

Методические указания к лабораторной работе

Целью настоящей работы является исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. В работе исследуются точечные и плоскостные германиевые и кремниевые выпрямительные диоды, снимаются прямые и обратные характеристики диодов, измеряется дифференциальное сопротивление диодов на различных участках вольт-амперной характеристики. Пособие предназначено для студентов очной формы и заочной формы обучения, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» и «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства», «Компоненты электронных схем».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Шангин, А. С. Исследование полупроводниковых диодов: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2012. — 17 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2449
Автор:   Шангин А. С.
Год издания: 2012
Количество страниц: 17
Скачиваний: 7

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

2.1. Физические процессы в диоде

2.2 Вольт-амперная характеристика диода

2.3 Емкость электронно-дырочного перехода

2.4 Устройство полупроводниковых диодов

2.5 Статические параметры диода

2.6 Контрольные вопросы

3 Экспериментальная часть

3.1 Задание

3.2 Описание лабораторного стенда

3.3 Снятие статических характеристик

3.4 Измерение дифференциального сопротивления

3.5 Методические указания

3.6 Содержание отчета

Список литературы