Твердотельные приборы и устройства

Учебное пособие

В данном учебном пособии изложены основные сведения о твердотельных приборах и устройствах, а также принципы действия и свойства наиболее распространенных твердотельных и полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Пособие предназначено для студентов очной формы и заочной формы обучения, обучающихся по направлению «Фотоника и оптоинформатика» и «Электроника и наноэлектроника» (специальность «Электронные приборы и устройства») по дисциплине «Твердотельные устройства», «Твердотельные приборы» и «Твердотельные приборы и устройства».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Шангин, А. С. Твердотельные приборы и устройства: Учебное пособие [Электронный ресурс] / А. С. Шангин. — Томск: ТУСУР, 2012. — 156 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2438
Автор:   Шангин А. С.
Год издания: 2012
Количество страниц: 156
Скачиваний: 48

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Энергетические зоны полупроводников

2.1. Простая модель энергетических зон

2.2. Математическая модель энергетических зон

3. Носители заряда в полупроводника

3.1.Равновесное состояние полупроводника

3.2.Нерановесные процессы в полупроводниках

3.3 Основные уравнения, описывающие процессы в полупроводниковых приборах

4. Физические явления в р-n-переходе

4.1. Равновесное состояние р-п перехода

4.2. Работа p-n- перехода при внешнем напряжении

4.3. Явления пробоя

4.4. Малосигнальные модели диода

4.5. Процессы переключения в диоде. Режим большого сигнала

4.6. Переход металл-полупроводник

4.7. Переход полупроводник-полупроводник (гетеропереход)

4.8. Диоды для оптоэлектроники

5. Физические принципы работы полевых транзисторов

5.1. Введение в теорию идеального МОП- конденсатора

5.2. Идеальный МОП-конденсатор

5.3. Реальный МОП – конденсатор

5.4. Идеальный МОП- транзистор

5.5. Реальный МОП- транзистор

5.6. Полевой транзистор с управляющим p-n- переходом

5.7. Полевой транзистор с управляющим переходом металл - полупроводник

6. Физические принципы работы транзистора и тиристора

6.1 Структура биполярного транзистора и принцип его работы

6.2. Параметры транзистора

6.3. Частотные свойства транзистора

6.4. Явления, наблюдаемые при высоком уровне инжекции

6.5. Статистическая модель биполярного транзистора

6.6. Модели транзистора в режиме малого сигнала

6.7. Зарядовая модель биполярного транзистора

6.8. Транзистор в режиме переключения

6.9. Тиристоры

7. Биполярные интегральные схемы

7.1. Биполярные транзисторы ИС

7.2. Диоды ИС

7.3.Электрические модели биполярных ИС

7.4 Применение электротермических моделей

7.5. Семейства биполярных логических ИС

7.6. Основные типы аналоговых биполярных ИС