Твердотельные приборы и устройства

1. Введение

2. Энергетические зоны полупроводников

2.1. Простая модель энергетических зон

2.2. Математическая модель энергетических зон

3. Носители заряда в полупроводника

3.1.Равновесное состояние полупроводника

3.2.Нерановесные процессы в полупроводниках

3.3 Основные уравнения, описывающие процессы в полупроводниковых приборах

4. Физические явления в р-n-переходе

4.1. Равновесное состояние р-п перехода

4.2. Работа p-n- перехода при внешнем напряжении

4.3. Явления пробоя

4.4. Малосигнальные модели диода

4.5. Процессы переключения в диоде. Режим большого сигнала

4.6. Переход металл-полупроводник

4.7. Переход полупроводник-полупроводник (гетеропереход)

4.8. Диоды для оптоэлектроники

5. Физические принципы работы полевых транзисторов

5.1. Введение в теорию идеального МОП- конденсатора

5.2. Идеальный МОП-конденсатор

5.3. Реальный МОП – конденсатор

5.4. Идеальный МОП- транзистор

5.5. Реальный МОП- транзистор

5.6. Полевой транзистор с управляющим p-n- переходом

5.7. Полевой транзистор с управляющим переходом металл - полупроводник

6. Физические принципы работы транзистора и тиристора

6.1 Структура биполярного транзистора и принцип его работы

6.2. Параметры транзистора

6.3. Частотные свойства транзистора

6.4. Явления, наблюдаемые при высоком уровне инжекции

6.5. Статистическая модель биполярного транзистора

6.6. Модели транзистора в режиме малого сигнала

6.7. Зарядовая модель биполярного транзистора

6.8. Транзистор в режиме переключения

6.9. Тиристоры

7. Биполярные интегральные схемы

7.1. Биполярные транзисторы ИС

7.2. Диоды ИС

7.3.Электрические модели биполярных ИС

7.4 Применение электротермических моделей

7.5. Семейства биполярных логических ИС

7.6. Основные типы аналоговых биполярных ИС