Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Исследование характеристик биполярных транзисторов

Методические указания к лабораторным работам

Протестировать р-n переходы р-n-р и n-р-n транзисторов мультиметром в режиме тестирования диодов. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UКЭ) р-n-р транзистора с помощью осциллографа.

Кафедра телевидения и управления

Библиографическая запись:

Самойличенко, М. Исследование характеристик биполярных транзисторов: Методические указания к лабораторным работам [Электронный ресурс] / М. Самойличенко, А. М. Заболоцкий. — Томск: ТУСУР, 23. — 17 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/10644
Год издания: 23
Количество страниц: 17
Скачиваний: 195

Оглавление (содержание)

Введение..................................................3

Цель работы............................................7

Порядок проведения работы................7

Контрольные вопросы...........................16

Список используемых источников.......17