Исследование влияния электрофизических характеристик на параметры компактных моделей компонентов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем

Статья в журнале

В работе представлены результаты исследования влияния параметров технологических материалов на значения элементов эквивалентных схем пассивных и активных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем. Получены зависимости элементов эквивалентной схемы МДМ конденсатора и катушки индуктивности, установлено, что наибольшее влияние на параметры ЭС моделей пассивных компонентов имеет толщина подложки. Представлены результаты исследования влияния длины затвора и глубины подзатворного рецесса на параметры малосигнальной модели полевого транзистора с затвором Шоттки. Для исследованных зависимостей получены одномерные модели, описывающие полученные зависимости.

Журнал:

• Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы
• Научно-производственное предприятие "Пульсар" (Москва)

Библиографическая запись: Исследование влияния электрофизических характеристик на параметры компактных моделей компонентов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем : [Электронный ресурс] / А. А. Попов [и др.] // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 2020. – №2 (257). – С. 37-46. – DOI: 10.36845/2073-8250-2020-257-2-37-46

Индексируется в:

• РИНЦ ( https://elibrary.ru/item.asp?id=43089860 )
• ВАК ( https://elibrary.ru/item.asp?id=43089860 )