Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур

Статья в журнале

Представлены результаты разработки процесса плазмохимического травления InP/InGaAs в индуктивно связанной плазме в газовой смеси Cl 2 /Ar/N 2 . Показаны зависимости влияния режимов процесса на профиль и шероховатость поверхности формируемых волноводных структур.

Журнал:

• Доклады ТУСУР
• Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Библиографическая запись: Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl 2 /Ar/N 2 для формирования оптических волноводных структур / С. В. Ишуткин [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2018. – Т. 21. – № 4. – С. 28–32. – DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-28-32

Индексируется в:

• ВАК ( https://cyberleninka.ru/article/n/plazmohimicheskoe-travlenie-inp-ingaas-geterostruktury-v-induktivno-svyazannoy-plazme-cl2-ar-n2-dlya-formirovaniya-opticheskih )
• РИНЦ ( https://elibrary.ru/item.asp?id=37056341 )