Рабочая программа учебной дисциплины
Направление подготовки: 11.04.04 Электроника и наноэлектроника
Профиль: Твердотельная электроника, очная форма обучения, ФЭ
Учебный план набора 2015 года (План в архиве)
Кафедра физической электроники
Основная литература
Технология кремниевой наноэлектроники [Текст] : учебное пособие / Т. И. Данилина, В. А. Кагадей, Е. В. Анищенко ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - 2-е изд. - Томск : ТУСУР, 2015. - 319 с : рис., цв. ил., табл. - Библиогр.: с. 317-318. - ISBN 978-5-86889-713-9
Доступно в библиотеке:
30
экземпляров
Дополнительная литература
Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с нем. / Пер. С.Д. Барановский, Пер. Ю.Б. Кириллова, Пер. А.А. Кальфа, Пер. Г.С. Симин, Ред. пер. М.Е. Левинштейн, Ред. пер. В.Е. Челноков. – М.: Мир, 1991. – 632 с.
Доступно в библиотеке:
4
экземляра
Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ. / П.Ф. Линдквист, У.М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д.В. Ди Лоренцо, Ред. Д.Д. Канделуола, Ред. пер. Г.В. Петров. – М.: Радио и связь, 1988. – 496 с.
Доступно в библиотеке:
23
экземляра
Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ. / У.Ф. Уиссмен [и др.]; ред. Н. Айнспрук, ред. У.Ф. Уиссмен, ред. пер. В.Н. Мордкович. – М.: Мир, 1988. – 555 с.
Доступно в библиотеке:
7
экземпляров
Учебно-методическое пособие
Проектирование интегральных схем на арсениде галлия : Руководство к практическим занятиям для студентов специальности 210201 / М. Н. Романовский, Е. В. Нефедцев ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управ-ления и радиоэлектроники, Кафедра конструирования узлов и деталей РЭА. - Томск : ТУСУР, 2007. - 76 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 66.
Доступно в библиотеке:
93
экземляра
Процессы микро- и нанотехнологии : учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для студентов специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" / К. И. Смирнова ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра физической электроники. - Томск : ТУСУР, 2007. - 53 с.
Доступно в библиотеке:
47
экземпляров
Дисциплины
Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники
Направление подготовки (специальность): 11.04.04 Электроника и наноэлектроника
Профиль: Твердотельная электроника
Индекс дисциплины: Б1.В.ОД.3.2
Форма обучения: очная
Факультет: ФЭТ
Кафедра: ФЭ
Курс: 1
Семестр: 1
Учебный план набора 2015 года
План в архиве