Сайты ТУСУРа

Выпускная квалификационная работа Пушкаревой Ксении Владимировны

Название: Моделирование GaN диода с барьером Шоттки в среде TСAD Silvaco

Тип: Диссертация

Год защиты: 2017

Факультет: Факультет электронной техники (ФЭТ)

Образовательная программа: 11.04.04 Электроника и наноэлектроника, Твердотельная электроника