Сайты ТУСУРа

Выпускная квалификационная работа Ипатовой Екатерины Олеговны

Название: Формирование омических контактов для создания AlGaN/GaN HEMT

Тип: Бакалаврская работа

Год защиты: 2017

Факультет: Факультет электронной техники (ФЭТ)

Образовательная программа: 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, Микроэлектроника и твердотельная электроника