Выпускная квалификационная работа Мухтеева Ридаля
Название: Моделирование процесса гальванического осаждения меди в сквозном отверстии GaAs СВЧ МИС
Тип: Бакалаврская работа
Год защиты: 2016
Факультет: Факультет электронной техники (ФЭТ)
Образовательная программа: 28.03.01 Нанотехнологии и микросистемная техника, Нанотехнологии в электронике и микросистемной технике