Выпускная квалификационная работа Москвитиной Екатерины Владимировны
Название: Исследование оптических и волноводных свойств эпитаксиальной структуры GaN/InGaN на подложке из сапфира
Тип: Выпускная квалификационная работа
Год защиты: 2016
Факультет: Факультет электронной техники (ФЭТ)
Образовательная программа: 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, Квантовая и оптическая электроника