Экстракция параметров источника тока Ids в нелинейной модели

Статья в сборнике трудов конференции

Описан способ экстракции параметров источника тока Ids в нелинейной модели Angelov. Представлены результаты моделирования ВАХ транзистора и сравнение полученных результатов с реальными измерениями транзистора с высокой подвижностью электронов на основе GaAs. Среднеквадратичное отклонение по всем точкам ВАХ составляет 2,73 мА (при Idsmax = 110 мА).

Библиографическая запись: Экстракция параметров источника тока Ids в нелинейной модели [Электронный ресурс] / Д. В. Билевич [и др.] // Электронные средства и системы управления: Материалы докладов XIII Международной научно-практической конференции (29 ноября – 1 декабря 2017 г.): В двух частях. – Ч. 1. – Томск: В-Спектр, 2017. – С. 113-115.

Конференция:

• Электронные средства и системы управления: XIII Международная научно-практическая конференция, посвященная 55-летию ТУСУРа
• Россия, Томская область, Томск, 29 ноября-01 декабря 2017,
• Международная

Издательство:

В-Спектр

Россия, Томская область, Томск