Формирование микрорельефа и исследование его влияния на коэффициент оптического вывода светодиода на основе GaN

Статья в сборнике трудов конференции

В данной работе исследовано влияние просветляющих покрытий на световыводящей поверхности светодиода на основе GaN при наличии в них микрорельефа различной конфигурации на коэффициент оптического вывода. Для решения поставленной задачи разработана технология формирования микрорельефа в покрытиях на основе SiO2 и реализовано моделирование влияния размеров и конфигурации микрорельефа на коэффициент оптического вывода. Установлено, что формирование микрорельефа методами электронно-лучевой и контактной фотолитографии способствует повышению коэффициента оптического вывода.

Библиографическая запись: Данилина, Т. И. Формирование микрорельефа и исследование его влияния на коэффициент оптического вывода светодиода на основе GaN [Электронный ресурс] / Т. И. Данилина, И. А. Чистоедова, А. А. Попов // Технологии микро и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике: Труды 5-ой международной научно-практической конференции. - Москва, ИИНМЭ, 2016. - С. 183-185.

Конференция:

• Технологии микро и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике
• Россия, Московская область, Москва, 13-15 апреля 2016,
• Международная

Издательство:

Москва

Россия, Московская область, Москва