Моделирование нормально-закрытых силовых GaN-HEMT в среде Silvaco TCAD

Статья в сборнике трудов конференции

Представлены результаты технологического моделирования нормально-закрытого силового транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с подзатворной областью на основе p-GaN. Моделирование проводилось в среде Silvaco TCAD. Исследовались зависимость порогового напряжения и максимального тока стока от толщины барьерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Увеличение мольной доли алюминия от 0,1 до 0,3 в барьерном слое AlGaN приводит к снижению порогового напряжения от 3,3 В до 2 В и росту тока насыщения транзистора с 3 мА до 60 мА. Увеличение толщины барьерного слоя AlGaN с 5 до 25 нм приводит к падению порогового напряжения с 3,2 до 1 В и увеличению увеличению тока насыщения исток-сток (IНАС) до максимального значения IНАС=46 мА. Полученные результаты согласуются с данными из литературных источников.

Библиографическая запись: Федина, В. В. Моделирование нормально-закрытых силовых GaN-HEMT в среде Silvaco TCAD / В. В. Федина, Е. В. Ерофеев, И. В. Федин // Электронные средства и системы управления: Материалы XIII Международной научно-практической конференции. - №1-1. - Томск: В-Спектр, 2017. - С. 100-102.

Конференция:

• Электронные средства и системы управления
• Россия, Томская область, Томск, 29 ноября-01 декабря 2017,
• Международная

Издательство:

ТУСУР

Россия, Томская область, Томск