Фотоиндуцированные изменения в спектрах оптического поглощения в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀ и Bi₁₂GeO₂₀, наведенные импульсной лазерной засветкой с длиной волны 1064 нм

Статья в сборнике трудов конференции

Представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектров оптического поглощения в диапазоне 430-1100 нм в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀ и Bi₁₂GeO₂₀, подвергнутых импульсной лазерной засветке с длиной волны 1064 нм в зависимости от времени облучения и частоты засвечивающих импульсов. Обнаружено уменьшение коэффициента поглощения в диапазоне длин волн 480-1000 нм.

Библиографическая запись: Фотоиндуцированные изменения в спектрах оптического поглощения в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀ и Bi₁₂GeO₂₀, наведенные импульсной лазерной засветкой с длиной волны 1064 нм / С. М. Шандаров [и др.] // Материалы докладов X Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления», Томск, 12–14 ноября 2014 г. – Томск: В-Спектр. – 2014. – Ч. 1. – С. 169 – 173.

Конференция:

• X Международная научно-практическая конференция «Электронные средства и системы управления»
• Россия, Томская область, Томск, 12-14 ноября 2014,
• Международная

Издательство:

Томск: В-Спектр

Россия, Томская область, Томск