Влияние ИК-облучения и отжига в вакууме на спектральные зависимости оптического поглощения в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀

Статья в сборнике трудов конференции

Представлены результаты экспериментальных исследований и численной аппроксимации спектральных зависимостей оптического поглощения в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀ (BSO), подвергнутых отжигу в вакууме в диапазоне температур TVV = 620 - 785 ˚C и облучению светом с длиной волны λ = 1064 нм.

Библиографическая запись: Худякова, Е. С. Влияние ИК-облучения и отжига в вакууме на спектральные зависимости оптического поглощения в кристаллах Bi₁₂SiO₂₀ / Е. С. Худякова, А. Н. Гребенчуков //Материалы XIII Российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела», Томск, 15 – 17 мая 2012 г. – Томск: Томский государственный университет, 2012. – С. 214-216.

Конференция:

• XIII Российская научная студенческая конференция «Физика твердого тела»
• Россия, Томская область, Томск, 15-17 мая 2012,
• Российская

Издательство:

Томский государственный университет

Россия, Томская область, Томск