Разработка технологического процесса получения тонкой пленки диоксида кремния плазмохимическим осаждением для защитного слоя светодиодов на основе нитрида галлия

Статья в сборнике трудов конференции

Представлена разработка технологического процесса получения тонкой пленки диоксида кремния плазмохимическим осаждением. Ключевым критерием при разработке режима осаждения является минимизация мощности генератора. Разработанный режим осаждения диоксида кремния соответствует ряду требований: определенному диапазону показателя преломления, допустимому разбросу по толщине пленки, параметрам толщины, соответствию стехиометрии.

Библиографическая запись: Карпачева, Ю. В. Разработка технологического процесса получения тонкой пленки диоксида кремния плазмохимическим осаждением для защитного слоя светодиодов на основе нитрида галлия / Ю. В. Карпачева, Ю. В. Сахаров // Электронные средства и системы управления. Материалы докладов Международной научно-практической конференции. – 2024. – № 1-1. – С. 104-106.

Конференция:

• Электронные средства и системы управления
• Россия, Томская область, Томск, 20-22 ноября 2024,
• Международная

Издательство:

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Россия, Томская область, Томск