Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами

Статья в сборнике трудов конференции

Составлена эквивалентная схемы гетероструктуры с квантовыми ямами. Эквивалентная схема учитывает степень заполнения УРК участвующих КЯ, емкость и сопротивление барьерного слоя, емкость и сопротивление релаксации заряда в квантовой яме, а также резистивные сопротивления предыдущих КЯ. Два сложных процесса, описывающих захват и поставки носителя, были объедены в один. Получены аналитические выражения для элементов схемы замещения, определяемые из резистивных измерений импеданса с учетом числа квантовых ям.

Библиографическая запись: Давыдов, В. Н. Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов, О. Ф. Задорожный // Электронные средства и системы управления : материалы докладов XVI Международной научно-практической конференции (Томск, 18-20 ноября 2020 г.) : в 2 ч. – Томск : В-Спектр, 2020. – Ч. 1. – С. 93-94.

Конференция:

• Электронные средства и системы управления
• Russia, Томская область, Tomsk, 18-20 ноября 2020,
• Международная

Издательство:

В-Спектр

Russia, Томская область, Tomsk