Анализ схемных решений и разработка СВЧ интегрального усилителя диапазона DC-4 ГГц на основе 0,5 мкм GaAs EpHEMT технологии

Статья в сборнике трудов конференции

В настоящей статье представлены обзор используемых схемотехнических решений и результаты разработки СВЧ МИС усилителя диапазона DC-4 ГГц на основе 0,5 мкм GaAs EpHEMT технологии.

Библиографическая запись: Анализ схемных решений и разработка СВЧ интегрального усилителя диапазона DC-4 ГГц на основе 0,5 мкм GaAs EpHEMT технологии / А. А. Метель [и др.] // Сборник избранных статей Научной сессии ТУСУР : по материалам Международной научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2020» (Томск, 25-27 мая 2020 г.) : в 2 ч. – Томск: Изд-во В-Спектр, 2020. – Ч. 1. – С. 116-119.

Конференция:

• XXV Международная научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Научная сессия ТУСУР – 2020»
• Russia, Томская область, Томск, 25-27 мая 2020,
• Международная

Издательство:

В-Спектр

Russia, Томская область, Томск