Исследование волноводный свойств эпитаксиальной структуры GаN/InGaN – сапфир

Статья в сборнике трудов конференции

Кристалл нитрида галлия является одним из самых перспективных оптоэлектронных материалов. Спектр применения кристаллов очень широкий, они используются для изготовления светодиодов сине-зеленой области видимого спектра, светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона, а также кристаллы хорошо используются в СВЧ-электронике диодов Шоттки, транзизсторов

Библиографическая запись: Исследование волноводный свойств эпитаксиальной структуры GаN/InGaN – сапфир: [Электронный ресурс] / Д. А. Демидова [и др.] // Научная сессия ТУСУР-2016: Сборник научных трудов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (Томск, 24-25 марта 2016 г.): В 6-ти частях. – Ч. 2. – Томск: В-Спектр, 2016. – С. 257-259.

Конференция:

• Сборник научных трудов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР-2016»
• Россия, Томская область, Томск, 24-25 марта 2016,
• Международная

Издательство:

В-Спектр

Россия, Томская область, Томск