Исследование характеристик кремниевого полупроводникового фотодиода

Методические указания к лабораторной работе

Целью настоящей работы является изучение конструкции, принципов работы и использования в устройствах оптоинформатики приемников оптического излучения на основе кремниевых полупроводниковых фотодиодов.

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Щербина, В. В. Исследование характеристик кремниевого полупроводникового фотодиода: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / В. В. Щербина, Н. И. Буримов. — Томск: ТУСУР, 2013. — 16 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2819
Год издания: 2013
Количество страниц: 16
Скачиваний: 16

Оглавление (содержание)

Содержание

1 Введение

2 Теоретическая часть

3 Экспериментальная установка

4 Порядок выполнения работы и методические указания

4.1. Исследование фотоприемника в фотогальваническом режиме работы (Внешнее электрическое поле отсутствует, UСМ = 0)

4.2. Исследование фотоприемника в фотодиодном режиме работы (Приложено внешнее электрическое поле UСМ = -1,5 В)

4.3. Обработка результатов измерений

4.4. Содержание отчета

Список литературы


Похожие пособия