Сайты ТУСУРа
Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)

Исследование характеристик инжекционного полупроводникового лазера

Методические указания к лабораторной работе

Цель работы: изучить принципы работы полупроводникового лазера и провести измерение его основных параметров. В ходе выполнения работы у студентов формируются: способность идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в сфере профессиональной деятельности (ПК-9); готовность формулировать цели и задачи научных исследований (ПК-10). Пособие предназначено для студентов очной и заочной форм, обучающихся по направлению 200700.62 - «Фотоника и оптоинформатика» по дисциплине «Оптическая физика».

Кафедра электронных приборов

Библиографическая запись:

Щербина, В. В. Исследование характеристик инжекционного полупроводникового лазера: Методические указания к лабораторной работе [Электронный ресурс] / В. В. Щербина, Н. И. Буримов. — Томск: ТУСУР, 2013. — 16 с. — Режим доступа: https://edu.tusur.ru/publications/2818
Год издания: 2013
Количество страниц: 16
Скачиваний: 96

Оглавление (содержание)

1 Введение

2 Теоретическая часть

3 Экспериментальная часть

3.1 Экспериментальная установка

3.2 Задание

3.3 Порядок выполнения работы

3.7 Содержание отчета



Похожие пособия