Сайты ТУСУРа

Преддипломная практика

11.04.04 - Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) План в архиве

Очная форма обучения, план набора 2020 г.

Изучается: 4 семестр

Цикл дисциплины: Б2. Практика

Вид практики: Производственная практика

Индекс дисциплины: Б2.В.01(Пд)

Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники


Контрольные испытания

Вид контроля Семестры
Зачет с оценкой 4

Объем дисциплины и виды учебной деятельности

Вид учебной деятельности 1 семестр 2 семестр 3 семестр 4 семестр Всего Единицы
Самостоятельная работа864864часов
↳ из них практическая подготовка0часов
Общая трудоемкость864864часов
2424З.Е
1616недель

Компетенции

Код Содержание
ПКР-5 Способен разрабатывать технические задания на проектирование технологических процессов производства материалов и изделий электронной техники
ПКР-6 Способен проектировать технологические процессы производства материалов и изделий электронной техники с использованием автоматизированных систем технологической подготовки производства
ПКР-7 Способен разрабатывать технологическую документацию на проектируемые устройства, приборы и системы электронной техники
ПКР-8 Готов обеспечивать технологичность изделий электронной техники и процессов их изготовления, оценивать экономическую эффективность технологических процессов
ПКР-10 Готов формулировать цели и задачи научных исследований в соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, способностью обоснованно выбирать теоретические и экспериментальные методы и средства решения сформулированных задач
ПКР-12 Готов осваивать принципы планирования и методы автоматизации эксперимента на основе информационно-измерительных комплексов как средства повышения точности и снижения затрат на его проведение, овладевать навыками измерений в реальном времени
ПКР-13 Способен к организации и проведению экспериментальных исследований с применением современных средств и методов
ПКР-14 Способен делать научно-обоснованные выводы по результатам теоретических и экспериментальных исследований, давать рекомендации по совершенствованию устройств и систем, готовить научные публикации и заявки на изобретения
ПКС-1 Способен проводить анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной СВЧ-электроники
ПКС-2 Способен самостоятельно разрабатывать модели наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых интегральных схем, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур