Выпускная квалификационная работа Сима Павла Евгеньевича
Название: Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN
Тип: Научно-квалификационная работа
Год защиты: 2018
Руководитель: Троян П.Е.
Факультет: Факультет электронной техники (ФЭТ)
Образовательная программа: 03.06.01 Физика и астрономия, Физическая электроника