Способ изготовления полупроводникового источника света

патент на изобретение

Правообладатель: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Номер и дата приоритета: 2011125739/28, 22 июня 2011

Номер патента/свидетельства и дата регистрации: 2472252, 10 января 2013