Сайты ТУСУРа

Способ изготовления высокочастотного транзистора с нанометровыми затворами

патент на изобретение

Правообладатель: федеральное государственное бюджетное обраоткрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов"

Номер и дата приоритета: 2014143609, 28 октября 2014

Номер патента/свидетельства и дата регистрации: 2578517, 25 февраля 2016

Автор:  Торхов Н. А.