Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами
Статья в журнале
Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций носителей заряда, не учитывает физически существующий при легировании разбаланс концентраций рекомбинирующих частиц. Для вычисления числа актов рекомбинации электронно-дырочных пар с учетом различия концентраций рекомбинирующих частиц предложено использовать вычисление обратной суммы обратных величин концентраций с применением функций участия. Показано, что при таком описании числа актов рекомбинации рост концентрации легирующей примеси уменьшает число актов, но оставляет неизменным время излучательной рекомбинации при любом уровне инжекции.
Журнал:
- Известия высших учебных заведений. Физика
- ИД ТГУ (Томск)
Библиографическая запись: Давыдов, В. Н. Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами: [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов, О. Ф. Задорожный // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2019. – Т. 62. – №10 (742). – С. 19-25. – DOI: 10.17223/00213411/62/10/19
Индексируется в: