Формирование микрорельефа и исследование его влияния на коэффициент оптического вывода светодиода на основе GaN
Статья в журнале
Исследовано влияние просветляющих покрытий на световыводящей поверхности светодиода на основе GaN при наличии в них микрорельефа различной конфигурации на коэффициент оптического вывода. Для решения поставленной задачи разработана технология формирования микрорельефа в покрытиях на основе SiO2 и реализовано моделирование влияния размеров и конфигурации микрорельефа на коэффициент оптического вывода.
Журнал:
- Нано- и микросистемная техника
- Новые технологии, Нано- и микросистемная техника (Москва)
Библиографическая запись: Данилина, Т. И. Формирование микрорельефа и исследование его влияния на коэффициент оптического вывода светодиода на основе GaN / Т. И. Данилина, И. А. Чистоедова, А. А. Попов // Нано- и микросистемная техника. – 2016. – Т. 18. – №11. – С. 708–712.
Ключевые слова:
СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ GAN МИКРОРЕЛЬЕФ МИКРООСТРИЯ КОЭФФИЦИЕНТ ОПТИЧЕСКОГО ВЫВОДА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ ПРЯМАЯ КОНТАКТНАЯ ФОТОЛИТОГРАФИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩИЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ NEMO LEDИндексируется в: