Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл−полупроводник с барьером Шоттки

Статья в журнале

Исследования электростатической системы плоских контактов металл−полупроводник с барьером Шоттки выявили нетривиальную зависимость их токовой и вольтовой фоточувствительностей (вентильного фото-эффекта) от формы контактов. Особенности использования вентильного фотоэффекта в таких контактах во многом определяются встроенным электростатическим полем периферии, модуль которого зависит от периметра и площади контактов. Таким образом, повышение эффективности преобразования контактами Шоттки световой энергии в электрическую требует использования методов оптимизации, в основе которых лежат изложенные в данной работе положения физической модели электростатической системы плоских контактов Шоттки с учетом электростатических полей периферии. Эффект ”резонанса горячих электронов“, приводящий к увеличению внешней квантовой эффективности фотодиодов с барьером Шоттки, может быть объяснен усилением полевой эмиссии электронов электростатическим полем периферии.

Журнал:

• Физика и техника полупроводников
• ФГБОУ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
• Индексируется в Scopus, Web of Science

Библиографическая запись: Торхов, Н. А. Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл−полупроводник с барьером Шоттки / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52, № 10. - С. 1150-1171. - DOI: 10.21883/0000000000