Фотоиндуцированное поглощение света в отожженных кристаллах силиката висмута
Статья в журнале
В настоящей работе представлены результаты экспериментальных исследований динамики оптического поглощения, фотоиндуцированного непрерывным лазерным излучением с длиной волны λe=650 нм в отожженном кристалле силиката висмута Bi₁₂SiO₂₀ (BSO) при комнатной температуре. Проведенные для диапазона 400–1100 нм измерения спектральных зависимостей поглощения продемонстрировали изменения в них, вызванные как отжигом исследованных кристаллов, так и их экспозицией используемым лазерным излучением.
Журнал:
- Ученые Записки Физического Факультета
- Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (Москва)
Библиографическая запись: Фотоиндуцированное поглощение света в отожженных кристаллах силиката висмута / Е. С. Худякова [и др.] // Ученые Записки Физического Факультета. – 2013. – №5. – С. 1-3.
Индексируется в: