Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в кристаллах силиката висмута, подвергнутых отжигу в вакууме

Статья в журнале

Представлены результаты экспериментальных исследований изменений в спектральных зависимостях оптического поглощения для диапазона 400 - 1100 нм в кристаллах силиката висмута (Bi₁₂SiO₂₀), вызванных отжигом в вакууме при температурах от 620 до 780 °С и облучением светом с длиной волны λ = 1064 нм. Обнаружены различия в спектральных зависимостях оптического поглощения и в их чувствительности к вакуумному отжигу и ИК засветке, для нелегированных кристаллов Bi₁₂SiO₂₀, имеющих разное происхождение. Эти различия могут быть связаны с разной стехиометрией исследованных кристаллов в исходном состоянии.

Журнал:

  • Известия высших учебных заведений. Физика
  • Национальный исследовательский Томский государственный университет (Томск)

Библиографическая запись: Шандаров, С. М. Исследование спектральных зависимостей коэффициента поглощения в кристаллах силиката висмута, подвергнутых отжигу в вакууме / С. М. Шандаров //Известия высших учебных заведений. Физика. – 2012. – Т. 55. – №8-3. – С. 60–61.

Индексируется в:

Год издания:  2012
Страницы:  60 - 61
Язык:  Русский
DOI:  DOI не указана