Новый способ увеличения параметра мемристора Roff/Ron на примере тонкопленочной структуры на основе оксида титана

Статья в журнале

Предложен способ увеличения параметра мемристора Roff/Ron методом введения в его конструкцию дополнительного электрода меньшей площади, соединенного с нижним электродом. На примере мемристора на основе TiOx c алюминиевыми электродами показано, что данный способ позволяет увеличить Roff/Ron не менее чем в 3 раза. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, кислородные вакансии, оксид титана, тонкопленочные структуры.

Журнал:

• письма в журнал технической физики
• Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук (Москва)

Библиографическая запись: Сахаров, Ю. В. Новый способ увеличения параметра мемристора Roff/Ron на примере тонкопленочной структуры на основе оксида титана: [Электронный ресурс] / Ю. В. Сахаров [и др.] // письма в журнал технической физики. – 2025. – №12 (51). – С. 43-45. – DOI: DOI 10.61011/PJTF.2025.12.60613.20267

Индексируется в:

• ВАК ( https://elibrary.ru/item.asp?id=82500961 )
• РИНЦ ( https://elibrary.ru/item.asp?id=82500961 )