Исследование характеристик усилителя распределенного усиления на основе GaAs-полевых транзисторов

Статья в журнале

Усилитель распределенного усиления является актуальным решением при реализации широкополосных усилителей в системах беспроводной связи, импульсной и измерительной техники. В настоящей работе было проведено исследование усилителя распределенного усиления на основе GaAs-полевых транзисторов. В работе представлен расчет оптимального количества ячеек усиления, расчет каскодного усилителя распределенного усиления и получена его принципиальная схема, работающая в диапазоне от 2 до 20 ГГц. Также был выполнен предварительный расчет основных характеристик усилителя, на базе которого модель усилителя распределенного усиления была построена и промоделирована в САПР. Помимо этого, в работе были проанализированы изменения коэффициента передачи и уровня выходной мощности в точке сжатия на 1 дБ от количества используемых ячеек усиления. Результаты данной работы могут быть использованы при проектировании усилителей распределенного усиления для различных систем в современной электронике.

Журнал:

• Доклады ТУСУР
• ТУСУР (Томск)

Библиографическая запись: Исследование характеристик усилителя распределенного усиления на основе GaAs-полевых транзисторов [Электронный ресурс] / Н. И. Гоголев [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2023. – № 3. – С. 32-40. – DOI: 10.21293/1818-0442-2023-26-3-32-40

Индексируется в:

• РИНЦ ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55866161 )
• ВАК ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55866161 )