Сайты ТУСУРа

Влияние ёмкости посадочного места транзистора на его устойчивость к воздействию электростатического разряда

Статья в журнале

В работе представлена оценка устойчивости полевых транзисторов к воздействию электростатического разряда. Она выполнена для двух полевых транзисторов разного типа проводимости, IRFZ46N и IRF4905 SPbF, в разных корпусах ТО-220 и ТО-263, с учётом и без учёта ёмкости посадочного места. Представлены аналитическая и квазистатическая модели посадочных мест корпусов транзисторов и с их помощью выполнен анализ собственных и взаимных ёмкостей с учётом и без учёта слоя припоя. Анализ показал, что слой припоя на электродах транзистора увеличивает ёмкость затвор-исток и сток-исток в 1,7 раза для транзистора IRFZ46N и в 2,2 раза для транзистора IRF4905 SPbF. На основе вычисленных ёмкостей создана схемотехническая модель транзистора, учитывающая корпус и посадочное место со слоем припоя. Приведены схема и модель для оценки устойчивости транзисторов к воздействию электростатического разряда в схемотехническом симуляторе. Анализ результатов моделирования и экспериментов показал, что ёмкость посадочного места с учётом слоя припоя оказывает значительное влияние на пробивное напряжение подзатворного диэлектрика транзистора при воздействии электростатического разряда. Показано, что критичными амплитудами напряжения электростатического разряда для работоспособности транзисторов IRFZ46N в корпусе ТО-220 и IRF4905 SPbF в корпусе ТО-263 с учётом ёмкости посадочного места являются 3,05 и 4,75 кВ, а без учёта эти значения выше на 0,2-0,25 кВ. Сравнение результатов моделирования и эксперимента показало различие не более 2%.

Журнал:

  • Журнал радиоэлектроники
  • Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (Москва)

Библиографическая запись: Дроздова, А. А. Влияние ёмкости посадочного места транзистора на его устойчивость к воздействию электростатического разряда [Электронный ресурс] / А. А. Дроздова, И. И. Николаев, М. Е. Комнатнов // Журнал радиоэлектроники. – 2023. – №1 – С. 1-21. – DOI: 10.30898/1684-1719.2023.1.12

Индексируется в:

Год издания:  2023
Страницы:  1 - 21
Язык:  Русский
DOI:  10.30898/1684-1719.2023.1.12