Разработка масштабируемой малосигнальной модели 0,1 мкм GaAs-pHEMT-транзистора для усилительных применений
Статья в журнале
Описана разработка масштабируемой малосигнальной модели pHEMT-транзистора на основе GaAs с проектной нормой 0,1 мкм для применения в САПР электронных устройств. При её построении в качестве базового был выбран транзистор с общей шириной затвора 6´35 мкм, для которого достигнута хорошая точность в различных режимах работы по постоянному току и в широком диапазоне частот. Разработанная модель может использоваться для ускорения и удешевления разработки усилительных СВЧ-монолитных интегральных схем, в которых базовым активным элементом является pHEMT-транзистор. В дальнейших исследованиях полученная модель станет основной для создания более сложных типов моделей, таких как шумовые и нелинейные.
Журнал:
- Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники
- Издательство Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (Томск)
Библиографическая запись: Разработка масштабируемой малосигнальной модели 0,1 мкм GaAs-pHEMT-транзистора для усилительных применений [Электронный ресурс] / И. М. Добуш [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2022. – № 4. – С. 37-47. – DOI: 10.21293/1818-0442-2022-25-4-37-47
Ключевые слова:
СВЧ-ТРАНЗИСТОР МОДЕЛЬ СВЧ-ТРАНЗИСТОРА СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ЭКСТРАКЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА МАЛОСИГНАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ ЛИНЕЙНЫЕ ПАРАМЕТРЫ PHEMT GAASИндексируется в: