Аналитическая аппроксимация численной зависимости положения квазиуровня Ферми в квантовой яме от потенциала затвора для разработки компактной модели GaAs HEMT-транзистора
Статья в журнале
Рассматривается задача аналитической аппроксимации численной зависимости положения квазиуровня Ферми в квантовой яме от потенциала затвора для гетероструктуры на основе AlGaAs/GaAs. Целью работы является анализ принципов получения аналитических аппроксимирующих выражений с учётом допущений для трёх диапазонов напряжений на затворе, соответствующих различным значениям поверхностной концентрации носителей заряда в канале гетероструктурного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов. Приводится обоснование применения сглаживающих функций для получения общего выражения, аппроксимирующего численную зависимость в широком диапазоне напряжений. Предлагаются уточнения, позволяющие повысить точность аппроксимации численной зависимости в диапазонах напряжений на затворе, соответствующих низкой и высокой поверхностной концентрации носителей заряда. Полученное аналитическое выражение может быть использовано для разработки физической компактной модели GaAs HEMT-транзистора на основе поверхностного потенциала.
Журнал:
- Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета
- Рязанский государственный радиотехнический университет им. В.Ф. Уткина (Ryazan)
Библиографическая запись: Попов, А. А. Аналитическая аппроксимация численной зависимости положения квазиуровня Ферми в квантовой яме от потенциала затвора для разработки компактной модели GaAs HEMT-транзистора [Электронный ресурс] / А. А. Попов // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. – 2021. – № 76 – С. 109-125. – DOI: 10.21667/1995-4565-2021-76-109-125
Ключевые слова:
HEMT-ТРАНЗИСТОР КОМПАКТНАЯ МОДЕЛЬ АНАЛИТИЧЕСКАЯ АППРОКСИМАЦИЯ КВАЗИУРОВЕНЬ ФЕРМИ ПОВЕРХНОСТНАЯ КОНЦЕНТРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ГЕТЕРОСТРУКТУРА ЧИСЛЕННОЕ РЕШЕНИЕ СГЛАЖИВАЮЩАЯ ФУНКЦИЯИндексируется в: