Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами

Статья в журнале

Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения результатов проведённого расчета энергетического спектра электронной и дырочной квантовых ям с полученными экспериментальными данными предположено, что указанные пики могут быть интерпретированы как энергии фононов, генерируемых при захвате электронов из барьерного слоя на второй уровень размерного квантования, а также при релаксации электронов со второго уровня на излучательный уровень и захвате дырок на верхний уровень квантовой ямы.

Журнал:

• Известия высших учебных заведений. Физика
• Национальный исследовательский Томский государственный университет (Tomsk)

Библиографическая запись: Давыдов, В. Н. Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами [Электронный ресурс] / В. Н. Давыдов, А. Н. Лапин, О. Ф. Задорожный // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2021. – Т. 64. – № 3. – С. 144-147. – DOI: 10.17223/00213411/64/3/144

Индексируется в:

• РИНЦ ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=45607559 )
• ВАК ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=45607559 )