Универсальный алгоритм построения линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора для усилительных применений
Статья в журнале
Представлен универсальный алгоритм, позволяющий производить построение линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора с общим истоком, предназначенной для дальнейшего применения в проектировании и моделировании СВЧ монолитных интегральных схем. Алгоритм представляет из себя комбинацию различных методик экстракции паразитных параметров GaAs pHEMT СВЧ-транзистора и позволяет выполнять построение линейных моделей транзисторов, изготовленных на различных предприятиях с варьируемой общей шириной затвора. Ошибка моделирования параметров рассеяния для построенных моделей не превышает 10%.
Журнал:
- Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)
- Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (Москва)
Библиографическая запись: Степанов, В. И. Универсальный алгоритм построения линейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора для усилительных применений : [Электронный ресурс] / В. И. Степанов, А. А. Попов, А. С. Сальников // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). – 2020. – №4 – С. 76-82. – DOI: 10.31114/2078-7707-2020-4-76-82
Ключевые слова:
GAAS PHEMT ЛИНЕЙНАЯ МОДЕЛЬ ЭКСТРАКЦИЯ ПАРАЗИТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА АЛГОРИТМ АВТОМАТИЗАЦИИ «ХОЛОДНЫЙ» РЕЖИМ LINEAR MODEL PARASITIC PARAMETER EXTRACTION EQUIVALENT CIRCUIT AUTOMATION ALGORITHM COLD FETИндексируется в:
- ВАК ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44089635 )
- РИНЦ ( https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44089635 )