Обзор методик построения малосигнальных моделей транзисторов для управляющих СВЧ-устройств
Статья в журнале
Представлен обзор методик построения малосигнальных моделей коммутационных СВЧ-транзисторов, изготовленных по GaAs- и GaN-технологиям. Рассмотрены различные конфигурации малосигнальных эквивалентных схем, а также методы экстракции их параметров. Установлено, что большинство методик основано на использовании результатов измерений параметров рассеяния тестовой структуры транзистора. Для повышения точности получаемых моделей данные методики применяются в комбинации с электродинамическим моделированием топологии транзистора.
Журнал:
- Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника
- Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (Фрязино)
Библиографическая запись: Обзор методик построения малосигнальных моделей транзисторов для управляющих СВЧ-устройств : [Электронный ресурс] / А. А. Попов [и др.] // Электронная техника. – 2020. – № 3(546). – (Серия 1: СВЧ-техника). – С. 10-33.
Ключевые слова:
СВЧ-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ КОММУТАЦИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР МАЛОСИГНАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА GAAS PHEMT GAN HEMTИндексируется в: