Алгоритм автоматического построения малосигнальной модели GaAs pHEMT-транзистора и его реализация в САПР
Статья в журнале
Показаны результаты разработки алгоритма построения малосигнальной модели GaAs pHEMT-транзистора. Алгоритм реализован в виде плагина для САПР СВЧ-устройств NI AWR Design Environment. Алгоритм представляет собой комбинацию различных методик построения малосигнальных моделей. Он позволяет получить модели СВЧ-транзисторов в автоматическом режиме непосредственно в САПР. Экспериментальные исследования показали хорошее совпадение модели, полученной прямой экстракцией, с результатами измерений.
Журнал:
- Наноиндустрия
- Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА" (Москва)
Библиографическая запись: Алгоритм автоматического построения малосигнальной модели GaAs pHEMT-транзистора и его реализация в САПР: [Электронный ресурс] / А. А. Калентьев [и др.] // Наноиндустрия. Спецвыпуск. – 2020. – №96 – С. 330-336. – DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.330.336
Ключевые слова:
СВЧ МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ТРАНЗИСТОР МАЛОСИГНАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ АВТОМАТИЧЕСКОЕ ПОСТРОЕНИЕ МОДЕЛЕЙ GAAS PHEMT САПР ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT MICROWAVE TRANSISTOR SMALL-SIGNAL MODEL AUTOMATED EXTRACTION TECHNIQUE ELECTRONIC DESIGN AUTOMATIONИндексируется в: