Физические основы микро- и наноэлектроники

11.03.03 - Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств)

Очная форма обучения, план набора 2016 г.

Изучается: 3 семестр

Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)

Индекс дисциплины: Б1.Б.18

Обеспечивающая кафедра: Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Основная литература

Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие для вузов. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 406 с.
Доступно в библиотеке: 57 экземпляров
Несмелов Н. С., Славникова М. М., Широков А. А. ''Физические основы микроэлектроники (конспект лекций)'': Учебное пособие для вузов – ТУСУР, Томск, 2007.- 276 с.
Доступно в библиотеке: 189 экземпляров

Дополнительная литература

С. Зи ''Физика полупроводниковых приборов''.- М., Мир, 1984, 1 том (450 с.), 2 том (450 с.).
Доступно в библиотеке: 14 экземпляров
Драгунов ВП., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники:учебное пособие для вузов – М.:Физматкнига, 2006. – 494 с.
Доступно в библиотеке: 30 экземпляров
Боргардт Н.И., Гаврилов С.А.,Герасименко Н.Н. и др. Нанотехнологии в электронике. –М.: Техносфера, 2005. -446 с.
Доступно в библиотеке: 20 экземпляров
М. Херман ''Полупроводниковые сверхрешетки''.- М., Мир, 1989.- 238 с.
Доступно в библиотеке: 5 экземпляров
Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. ''Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность'': Учебное пособие для вузов – М. ВШ, 1986. - 464 с.
Доступно в библиотеке: 52 экземляра

Учебно-методическое пособие

Несмелов Н.С., Романовский М. Н., Славникова М.М. Исследование структуры металл — диэлектрик — полупроводник. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 10с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров
Несмелов Н.С., Славникова М.М. «Исследование температурной зависимости электропроводности германия» Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 10с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров
Несмелов Н.С., Славникова М.М. Исследование фотопроводимости полупроводников и определение релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда. Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 12с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров
Несмелов Н.С., Широков А.А. Исследование эффекта сильного поля в полупроводнике (Эффект Ганна). Руководство к лабораторной работе по курсу «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальностей 210201 и 210202.-Томск, ТУСУР, 2007. - 11с.
Доступно в библиотеке: 25 экземпляров
Несмелов Н.С., Широков А.А. Сборник задач и методические указания по проведению практических занятий по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». - Томск, ТУСУР, 2007. -72 с.
Доступно в библиотеке: 132 экземляра

Контрольные испытания

Вид контроля Семестры
Дифференцированный зачет 3

Объем дисциплины и виды учебной деятельности

Вид учебной деятельности 1 семестр 2 семестр 3 семестр 4 семестр 5 семестр 6 семестр 7 семестр 8 семестр Всего Единицы
Лекция3636часов
Практическая работа2828часов
Лабораторная работа3636часов
Всего аудиторных занятий100100часов
Самостоятельная работа8080часов
Общая трудоемкость180180часов
55З.Е

Компетенции

Код Содержание
ОПК-2 способностью выявлять естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат