11.04.04 - Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника) План в архиве
Очная форма обучения, план набора 2019 г.
Изучается: 2 семестр
Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)
Индекс дисциплины: Б1.В.07
Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники
Контрольные испытания
| Вид контроля | Семестры |
|---|---|
| Экзамен | 2 |
Объем дисциплины и виды учебной деятельности
| Вид учебной деятельности | 1 семестр | 2 семестр | 3 семестр | 4 семестр | Всего | Единицы |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Лекционные занятия | 18 | 18 | часов | |||
| Лабораторные занятия | 16 | 16 | часов | |||
| Самостоятельная работа | 74 | 74 | часов | |||
| ↳ из них практическая подготовка | 0 | часов | ||||
| Подготовка и сдача экзамена/зачета | 36 | 36 | часов | |||
| Общая трудоемкость | 144 | 144 | часов | |||
| 4 | 4 | З.Е |
Компетенции
| Код | Содержание |
|---|---|
| ПКР-5 | Способен разрабатывать технические задания на проектирование технологических процессов производства материалов и изделий электронной техники |
| ПКР-6 | Способен проектировать технологические процессы производства материалов и изделий электронной техники с использованием автоматизированных систем технологической подготовки производства |
| ПКР-7 | Способен разрабатывать технологическую документацию на проектируемые устройства, приборы и системы электронной техники |
| ПКР-13 | Способен к организации и проведению экспериментальных исследований с применением современных средств и методов |
| ПКС-2 | Способен самостоятельно разрабатывать модели наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых интегральных схем, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур |