Технология арсенид-галлиевой гетероструктурной электроники

11.04.04 - Электроника и наноэлектроника (Твердотельная электроника)

Очная форма обучения, план набора 2019 г.

Изучается: 1 семестр

Цикл дисциплины: Б1. Дисциплины (модули)

Индекс дисциплины: Б1.В.02

Обеспечивающая кафедра: Кафедра физической электроники


Контрольные испытания

Вид контроля Семестры
Зачет 1

Объем дисциплины и виды учебной деятельности

Вид учебной деятельности 1 семестр 2 семестр 3 семестр 4 семестр Всего Единицы
Лекция1818часов
Практическая работа1818часов
Всего аудиторных занятий3636часов
Самостоятельная работа7272часов
Общая трудоемкость108108часов
33З.Е

Компетенции

Код Содержание
ПКР-10 Готов формулировать цели и задачи научных исследований в соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники, способностью обоснованно выбирать теоретические и экспериментальные методы и средства решения сформулированных задач
ПКР-13 Способен к организации и проведению экспериментальных исследований с применением современных средств и методов
ПКС-1 Способен проводить анализ мирового опыта применения материалов наногетероструктурной СВЧ-электроники